MOSFET 1200 V do szybkiego przełączania dedykowane do UPSów
Infineon Technologies rozszerzyła rodzinę MOSFET opartych o węglik krzemu (SiC) nowy moduł może pracować na napięciu 1200 V.
Infineon Technologies rozszerzyła rodzinę MOSFET opartych o węglik krzemu (SiC) nowy moduł może pracować na napięciu 1200 V.
Firma IXYS poszerzyła portfolio o ultra-szybki sterownik tranzystorów MOSFET, nazwa kodowa to IXRFD615, zaprojektowany został do pracy w układzie low-side.
Vishay rozszerza technologię TrenchFET Gen III na pojedyncze tranzystory MOSFET o napięciach znamionowych odpowiednio 12V oraz 30 V.
Do oferty TME.pl zostały wprowadzone tranzystory MOSFET firmy International Rectifier.
Spis podstawowych symboli elementów elektronicznych.
Tym razem zaprezentuję wam sztuczne obciążenie lub jak kto woli aktywne obciążenie z regulowanym prądem. Przydatne przy wszelakich testach czy to hobbystycznych czy już bardziej zawodowych. Część stwierdzi zapewne, że kolejny zbędny grat, jednak część z was jak i ja osobiście bardzo je doceniam w różnych sytuacjach. Obciążenie aktywne – a do czego mi to […]
Sam możesz zbudować przystępną cenowo cyfrową stację lutowniczą „Homebrew Hakko 907” Ciesz się stabilnymi temperaturami, które mogą osiągnąć nawet 525 ° C.
I.BHP Przy pracy z wysokimi napięciami należy zachować szczególną ostrożność (oczywiście obowiązują wszelkie zasady BHP takie jak przy pracy z napięciem 230V), do tego dochodzą dodatkowe zasady jakich należy przestrzegać a mianowicie minimalne odległości jakie należny zachować przy pracy z WN 5 kV : 1 cm; 30 kV : 5 cm; 80 kV : 20 […]
Z racji tego, że ostatnio zamawialiśmy w firmie sporą pakę z akumulatorami i panowie z Hongkongu „zapomnieli” opisać jaką pojemność mają ogniwa trzeba było je pomierzyć.
Wielu początkujących elektroników ma obawy przed wprowadzeniem w układzie jakichkolwiek zmian. Schemat traktowany jest niemalże jak świętość.