Dodano w przez swistak dnia lipiec 18 2017 149

Pracę nad tym rozwiązaniem trwały bardzo długo,  jednocześnie koszty jakie przekroczyły wszystkie pierwotne założenia. Jednak mimo tych przeszkód prace nad litografią w ekstremalnie dalekim ultrafiolecie (EUV) dobiegają końca.
Podczas targów Semicon West firma ASML ogłosiła, że udało się jej stworzyć 250W źródło światła potrzebne EUV. Tak duża moc jest koniecznością, by urządzenia EUV były wstanie wytwarzać, aż 125 plastrów krzemowych na godzinę. Jest warunek opłacalności produkcji na skalę przemysłową.

Wiodący producenci półprzewodników, jak Intel, Samsung, TSMC i Globalfoundries i inni sa mono zainteresowani technologią i chcą w ciągu najbliższych 2 lat wdrożyć EUV do masowej produkcji w swoich zakładach. Już w lutym ASML zademonstrowała wstępne urządzenie naświetlające do 104 plastrów na godzinę i zapowiedziało, że osiągnie wydajność 125 plastrów na godzinę, jednak było to jeszcze przed powstaniem źródła światła 250W.
Jak powiedział Michael Lercel„Obecnie posiadamy, aż 14 maszyn testowych służących rozwojowi EUV. Naświetliły one już ponad milion plastrów krzemowych, w tym ponad 500 000 w ciągu ostatnich 12 miesięcy.”
W bieżącym roku ASML dostarczyła już pierwsze urządzenia EUV, NXE:3400B, które są wykorzystywane do komercyjnej produkcji na niewielką skalę. W kwietniu bieżącego roku  ASML zalegało z dostarczeniem klientom 21 systemów do EUV. W większości zostały one zamówione przez Intela.
Wracając trochę do historii, pierwsze prace, nad rozwojem EUV, rozpoczęto już w latach 70. ubiegłego wieku. Wówczas już prowadzono niestety nieudane eksperymenty z litografią wykorzystującą promieniowanie rentgenowskie. Przemysł półprzewodnikowy z niecierpliwością oczekuje EUV. Technika EUV miała być już dostępna na początku obecnej dekady, jednak jej debiut ciągle się opóźniał ze względów wydajności. Według dostępnych szacunków przez lata na rozwój tej technologii wydano ponad 20 miliardów dolarów, jednak są to dane dostępne publicznie jakie sumy faktycznie zostały przeznaczone na rozwój nie wiadomo.

 

"Urządzenia do EUV nie będą tanie. Wstępna cena za pojedynczy zestaw wynosi ~100 milionów dolarów. Mimo tak wysokiej ceny to przemysł półprzewodnikowy nie może się ich już doczekać
Jeśli popatrzymy na koszty wieloetapowego procesu litografii zanurzeniowej sądzimy, że EUV jest znacznie tańsze w przeliczeniu na każdy krok tego procesu. I jest to prawdziwe odnośnie trzykrotnego naświetlania w litografii zanurzeniowej, nie mówiąc już o naświetlaniu czterokrotnym i dalszych krokach", mówi Michael Lercel, dyrektor marketingu w ASML. Dodał przy tym, że również pod innymi względami, takimi jak prędkość pracy, mniejsza liczba zmiennych oraz mniejsze prawdopodobieństwo powstawania błędów, EUV ma przewagę nad litografią zanurzeniową.

Źródło: asml.com / eetimes.com

Komentarze

Brak komentarzy. Może czas dodać swój?

Dodaj komentarz

Zaloguj się, aby móc dodać komentarz.

Oceny

Tylko zarejestrowani użytkownicy mogą oceniać zawartość strony
Zaloguj się lub zarejestruj, żeby móc zagłosować.

Brak ocen. Może czas dodać swoją?