Tranzystory IGBT GT50JR21 i GT50JR22 zostały zaprojektowane do zastosowań w indukcyjnych systemach grzewczych. Zostały one wyposażone wyposażone w wewnętrzną diodę regeneracyjną. 
Charakteryzują się one parametrami znamionowymi 600 V / 50 A / 230 W oraz krótkimi czasami przełączania, zapewniającymi małe straty przy pracy impulsowej. Oba modele zostały zamykane w obudowie typu TO-3P(N), stanowiącej ekwiwalent TO247. Mogą pracować przy dopuszczalnej temperaturze złącza, aż +175°C.
Napięcie nasycenia dla IC=50 A wynosi zaledwie 1,5 V dla GT50JR21 i 1,65 V dla GT50JR22. Czasy włączania/wyłączania przy prądzie kolektora równym 50 A wynoszą odpowiednio 0,26/0,31 μs dla GT50JR21 oraz 0,25/0,37 μs dla GT50JR22.
Źródło: toshiba-components.com