Szwajcarscy naukowcy z École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) połączyli ze sobą dwa rewolucyjne materiały, są nimi grafen oraz molibdenit.
Oba materiały zostały połączone w prototypowy układ pamięci typu flash. Naukowcy już dwoma laty temu zwrócili uwagę na niezwykle interesujące właściwości molibdenitu. Zaledwie kilka miesięcy później światło dzienne ujrzał pierwszy układ scalony wykonany z molibdenitu. „Po molibdenitowym chipie mamy molibdenitową pamięć flash. To znaczący postęp na drodze do wykorzystania tego materiału w elektronice” – mówi Andras Kis, dyraktor Laboratorium Struktury i Elektroniki Nanometrowej. „Połączyliśmy unikatowe właściwości elektroniczne MoS2 z niezwykłym przewodnictwem grafenu” – dodał.
Oba wspomniane wcześniej materiały mają lepsze właściwości elektroniczne niż obecnie wszech obecnie stosowany krzem, z obu można uzyskać jednoatomowe warstwy. Grafen ja już wiadomo jest świetnym przewodnikiem natomiast molibdenit jest rewelacyjnym półprzewodnikiem. Uzupełniają się dzięki temu wzajemnie, gdyż molibdenit posiada przerwę energetyczną o doskonałej wartości 1,8 eV. Grafen w ogóle nie posiada przerwy. Połączenie materiałów pozwala nam zatem na łatwe włączanie jak i wyłączanie urządzenia, z którego jest zbudowane. Korzyści jest ogromna zwłaszcza jeśli chodzi o oszczędność energii i bardzo szybki transport elektronów. Prototypowy tranzystor polowy zbudowany jest z trzech warstw. Środkową tworzy molibdenit, który steruje ruchem elektronów. Poniżej niego znajduje się grafen wysyłający elektrony. Warstwa najwyższa to również grafen. Jego zadaniem jest przechowywanie ładunku, a zatem przechowywanie danych. Prototyp przechowuje bit danych, tak jak tradycyjna komórka pamięci. Jednak, jako że molibdenit jest cieńszy niż krzem, a zatem bardziej wrażliwy na zmiany ładunku, pozwala na stworzenie znacznie bardziej efektywnego systemu przechowywania danych – skomentował na koniec Kis.
Źródło : Kopalniawiedzy