Firma IXYS poszerzyła portfolio o ultra-szybki sterownik tranzystorów MOSFET, nazwa kodowa to IXRFD615, zaprojektowany został do pracy w układzie low-side.
Jest to układ został zrealizowany w technologii CMOS, przeznaczony do pracy w aplikacjach wymagających generowania krótkich impulsów o małych czasach narastania i opadania zboczy, których przykładem mogą być generatory RF klasy D i E, zasilacze impulsowe o częstotliwości taktowania rzędu MHz, sterowniki transformatorów impulsowych, sterowniki diod laserowych i generatory impulsów.
IXRFD615 charakteryzuje się wydajnością prądową, aż do ±15 A i czasami narastania/opadania ~5 ns.
Zapewnia izolację napięciową na poziomie 2500 V i bardzo dobre parametry termiczne. Zawiera wejście kompatybilne z poziomami napięć TTL i CMOS.
Pozostałe cechy:
- odporność na tzw. zatrzaskiwanie (latch up) w całym zakresie dopuszczalnych parametrów pracy,
- małogabarytowa obudowa SMD o małej indukcyjności pasożytniczej,
- małe wewnętrzne opóźnienia sygnału, eliminujące równoczesny przepływ prądu przez oba tranzystory w stopniu wyjściowym (shoot-through),
- mała impedancja wyjściowa,
- mały prąd spoczynkowy,
- możliwość sterowania obciążeń o charakterze pojemnościowym.
Nota katalogowa -> zobacz
Źródło: ixysrf.com / ixys.com