Miniaturowe MOSFETy o rezystancji kanału od 13,5 mΩ / 4,5 V

Vishay rozszerza technologię TrenchFET Gen III na pojedyncze tranzystory MOSFET o napięciach znamionowych odpowiednio 12V oraz 30 V. W ostatnim czasie oferta firmy powiększyła się o 2 p-kanałowe MOSFETy zamykane w miniaturowych, niskoprofilowych obudowach typu PowerPAK SC-70i PowerPAK ChipFET 12-woltowy SiA447DJ oraz 30-woltowy Si5429DU.

Charakteryzują się one rezystancją RDS(on) odpowiednio 13,5 mΩ i 22 mΩ przy napięciu VGS równym 4,5 V. Rezystancja RDS(on) modelu SiA447DJ przy niższych napięciach sterowania bramki wynosi 19,4 mΩ @ 2,5 V, 35 mΩ @ 1,8 V i 71 mΩ @ 1,5 V. Oba tranzystory są przeznaczone do zastosowań jako przełączniki zasilania w urządzeniach bateryjnych.

Źródło: elektronikb2 / Vishay

Post Author: swistak

Dodaj komentarz

Twój adres email nie zostanie opublikowany. Pola, których wypełnienie jest wymagane, są oznaczone symbolem *

Potwierdz, że nie jesteś botem. *

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.