Ultra-szybki sterownik tranzystorów MOSFET

Firma IXYS poszerzyła portfolio o ultra-szybki sterownik tranzystorów MOSFET, nazwa kodowa to IXRFD615, zaprojektowany został do pracy w układzie low-side.

IXRFD615Jest to układ został  zrealizowany w technologii CMOS, przeznaczony do pracy w aplikacjach wymagających generowania krótkich impulsów o małych czasach narastania i opadania zboczy, których przykładem mogą być generatory RF klasy D i E, zasilacze impulsowe o częstotliwości taktowania rzędu MHz, sterowniki transformatorów impulsowych, sterowniki diod laserowych i generatory impulsów.

IXRFD615 charakteryzuje się wydajnością prądową, aż do ±15 A i czasami narastania/opadania ~5 ns.

Zapewnia izolację napięciową na poziomie 2500 V i bardzo dobre parametry termiczne. Zawiera wejście kompatybilne z poziomami napięć TTL i CMOS.

Pozostałe cechy:

  • odporność na tzw. zatrzaskiwanie (latch up) w całym zakresie dopuszczalnych parametrów pracy,
  • małogabarytowa obudowa SMD o małej indukcyjności pasożytniczej,
  • małe wewnętrzne opóźnienia sygnału, eliminujące równoczesny przepływ prądu przez oba tranzystory w stopniu wyjściowym (shoot-through),
  • mała impedancja wyjściowa,
  • mały prąd spoczynkowy,
  • możliwość sterowania obciążeń o charakterze pojemnościowym.

Nota katalogowa -> zobacz

Źródło: ixysrf.com / ixys.com

Post Author: swistak

Dodaj komentarz

Twój adres email nie zostanie opublikowany. Pola, których wypełnienie jest wymagane, są oznaczone symbolem *

Potwierdz, że nie jesteś botem. *