Hybrydowe tranzystor opracowane przez chiny.

Chińscy naukowcy z Uniwersytetu Fudan, opisali w magazynie Science technologię umożliwiającą przyspieszenie pracy obecnych tranzystorów. tranzystorNaukowcy wpadli bowiem na pomysł połączenia tranzysotrów typu MOSFET z tunelowymi tranzystorami polowymi typu TFET. Taka hybrydowa konstrukcja ma zużywać mniej prądu, a jednocześnie przy tym pracować wiele szybciej.

Obecnie chwili większości komputerów i innego sprzętu elektronicznego stosuje się tranzysotry typu MOSFET lub ich odmianę z pływającą bramką. Takie tranzystory zbudowane są z trzech warstw to jest : krzemu, tlenku metalu i metalu. Wszystkie obecnie stosowane warstwy są bardzo cienkie i już zbliżają się do granicy ich fizycznych możliwości miniaturyzacji.
Naukowcy stworzyli TFET, którego zadaniem jest kontrolowanie pracy elektrod MOSFET, a dokładnie z pracy pływającej bramki. Stwierdzili bowiem, że jeśli spowodują, by bramka szybciej się otwierała i zamykała, to szybciej będzie pracował cały tranzystor. W obecnie używanych MOSFET zamknięcie i otwarcie bramki wymaga nagromadzenia odpowiedniego ładunku. Jednak, jako, że TFET pracują przy niższych napięciach, ładunek przy jakim operują jest mniejszy, zatem jego gromadzenie trwa krócej. Chińczycy zbudowali prototypową hybrydę i okazało się, że mieli rację. MOSFET z dołączonym TFET pracował szybciej i zużywał mniej energii.

Dodatkową zaletą wynalazku jest to, że tworzenie MOSFET i TFET jest dobrze opanowane, zbudowanie hybrydy nie wymaga zatem opracowywania nowych materiałów czy zmiany podstaw budowy tranzystorów. Dzięki temu produkcja hybryd mogłaby rozpocząć się bardzo szybko i nowe tranzystory już wkrótce mogą trafić do urządzeń elektronicznych.

Post Author: swistak

Dodaj komentarz

Twój adres email nie zostanie opublikowany. Pola, których wypełnienie jest wymagane, są oznaczone symbolem *

Potwierdz, że nie jesteś botem. *

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.