Nowe tranzystory typu IGBT firmy ON Semiconductor

Firma ON Semiconductor rozszerzyła właśnie ofertę tranzystorów IGBT trench field stop, przystosowanych do zastosowania w układach napędowych, zasilaczach UPS oraz instalacjach solarnych. Nowa seria obejmuje 9 typów tranzystorów stanowiących uzupełnienie 1200-woltowej rodziny NGBTxx. NGTB40N120FLWG, NGTB25N120FLW i NGTB15N120FLWG są to tranzystory produkowane w technologii Trench, wyposażone zostały w ultraszybką diodę regeneracyjną. Charakteryzują się niskim napięciem nasycenia (VCEsat), małym ładunkiem bramki, małymi stratami na przełączanie i krótkim czasem regeneracji. Nadają się idealnie do zastosowań np. w instalacjach solarnych jak i zasilaczach typu UPS i spawarkach. Pracują z dopuszczalnym prądem kolektora odpowiednio 40, 25 i 15 A. Ich dopuszczalny zakres częstotliwości przełączania wynosi od 10 do 40 kHz, a dopuszczalny zakres temperatur pracy złącza od -55 do +150°C.

Tranzystory drugiej grupy, NGTB30N120LWG i NGTB40N120LWG wyróżniają się dużym dopuszczalnym prądem kolektora, aż do 40 A, niskim napięciem nasycenia i dużą odpornością na zwarcie. Zostały zaprojektowane do aplikacji typu hard switching m.in. w układach napędowych. Również zawierają szybkie diody regeneracyjne. Są przewidziane do pracy w zakresie częstotliwości przełączania od 2 do 20 kHz.
Zaś tranzystory trzeciej grupy, NGTB30N120IHLWG, NGTB40N120IHLWG, NGTB20N120IHSWG i NGTB30N120IHSWG o dopuszczalnym prądzie kolektora odpowiednio 30, 40, 20 oraz 30 A charakteryzują się zbilansowanym stosunkiem strat na przełączanie do strat na przewodzenie. Zaprojektowano je do aplikacji typu soft switching pracujących z częstotliwościami przełączania z zakresu od 15 do 30 kHz, przede wszystkim w grzejnikach indukcyjnych.
Źródło: elektronikab2b/onsemi

Post Author: swistak

Dodaj komentarz

Twój adres email nie zostanie opublikowany. Pola, których wypełnienie jest wymagane, są oznaczone symbolem *

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.